半導體制造中，使用洗滌溶液從晶片表面去除金屬和其他污染物的洗滌過程占整個工藝過程的約20%-30%。目前，洗滌溶液的更換頻率通常基于使用時間來確定的。然而，近年來，降造成本和減少環(huán)境影響的需求要求更有效地使用洗滌溶液。因此，有實時監(jiān)測污染程度。為了滿足這些需求，島津一直在研究LIBS技術，因為LIBS技術的研發(fā)可以利用島津自身廣泛的激光光學和光譜技術優(yōu)勢蒸餾法測氨氮?的具體操作方法。 LIBS是一種可以輕松同時測量多個元素的技術。當樣品被激光照射時，它通過樣品表面的熱蒸發(fā)產生等離子體。該等離子體發(fā)出特征光是樣品所的。因此，可以通過檢測所得光譜來測量元素。通過激光照射在板上蒸發(fā)至干燥的樣品產生等離子體，然后檢測從等離子體發(fā)射的光以識別和定量樣品中包含的金屬元素。檢測限為ppm級別。該技術基于LIBS測量原理，提供世界上高的靈敏度水平(根據島津截至2018年7月的調查)。目前的原型機尺寸為1 m×1 m蒸餾法測氨氮的?具體操作方法，可與半導體晶圓清洗系統連接。從取樣到測量洗滌溶液的整個過程是*自動化的，并且可以在大約一分鐘內完成12種痕量金屬組分的同時測量，例如銅、鋁和鈦。由于能夠更好地理解合適的洗滌溶液更換頻率，使得該技術的實際應用將提供諸如提率和降造成本等益處。